【48812】捷捷微电请求双向可控硅芯片专利提高了散热作用和产品的didt值

  （原标题：捷捷微电请求双向可控硅芯片专利，提高了散热作用和产品的di/dt值）

  金融界2023年12月7日音讯，据国家知识产权局公告，江苏捷捷微电子股份有限公司请求一项名为“一种门极和阳极共面的双向可控硅芯片及其制作办法“，公开号CN117174747A，请求日期为2023年11月。

  专利摘要显现，本发明提出了一种门极和阳极共面的双向可控硅芯片及其制作办法，其经过把门极和阳极规划在同一侧，阴极规划在另一侧，使得阴极和底板能够焊接在一起，提高了散热作用和产品的di/dt值，而且使用时多只可控硅可共用同一个散热片，增加了终端厂家的使用空间，所述芯片包含从上至下设置的磷区N、硼铝区P、磷区N，所述硼铝区P内部设置有单晶资料区N，其特征是：所述芯片的门极和阳极设置在上外表，阴极设置鄙人外表，在所述门极和阳极同一侧的硼铝区P上制有深度超越PN结深度的台面沟槽钝化层，所述门极设置在沟槽外侧，所述阳极设置在沟槽内侧。

  证券之星估值剖析提示捷捷微电盈余才能杰出，未来营收成长性一般。归纳基本面各维度看，股价合理。更多

  以上内容与证券之星态度无关。证券之星发布此内容的意图是传达更多具体的信息，证券之星对其观念、判别保持中立，不确保该内容（包含但不限于文字、数据及图表）悉数或许部分内容的准确性、真实性、完整性、有效性、及时性、原创性等。相关联的内容不对各位读者构成任何出资主张，据此操作，危险自担。股市有危险，出资需谨慎。如对该内容存在贰言，或发现违法及不良信息，请发送邮件至，咱们将组织核实处理。