可控硅调压器电路图分享

  调功器、晶闸管调压器、晶闸管调整器、可控硅调功器、可控硅调整器等，英文简称为SCR。在中，可作为功率

  其工作原理是利用电力半导体器件的通断作用将工频电源变换为另一频率的电能控制装置。在正常工作时，由于电网中的电流是一定的，而负载是变化的，所以必须用一个能调节的电路来改变加载于电网中某一电阻上的电压大小以适应负载的变化。

  直接调压模式：在这种模式下，可控硅调压器可以直接连接到交流电源和负载上。接线顺序是电源→调压器→负载。这种方式适用于功率较小的负载，例如灯光、

  逆并联调压模式：这种模式下，可控硅调压器是两个负载之间的中间调压器。接线顺序是正负载A→调压器输入端→调压器输出端→负载B。这种方式适用于负载电器间的电压匹配。

  组合模式：这种模式下，可控硅调压器与其他调压器组合连接。接线顺序会根据不同的组合方式而有所变化，应该要依据详细情况而定。

  可控硅交流调压器由可控整流电路和触发电路两部分所组成，其电路原里图如下图所示。

  从图中可知，二极管D1—D4组成桥式整流电路，双基极二极管T1构成张弛振荡器作为可控硅的同步触发电路。当调压器接上市电后，220V交流电通过负载电阻RL经二极管D1—D4整流，在可控硅SCR的A、K两端形成一个脉动直流电压，该电压由电阻R1降压后作为触发电路的直流电源。在交流电的正半周时，整流电压通过R4、W1对电容C充电。

  当充电电压Uc达到单结晶体管T1管的峰值电压Up时，单结晶体管T1由截止变为导通，于是电容C通过T1管的e、b1结和R2迅速放电，结果在R2上获得一个尖脉冲。这个脉冲作为控制信号送到可控硅SCR的控制极，

  使可控硅导通。可控硅导通后的管压降很低，一般小于1V，所以张弛振荡器停止工作。当交流电通过零点时，可控硅自关断。当交流电在负半周时，电容C又从新充电……如此周而复始，便可调整负载RL上的功率了。

  由图可见，由VD3、VD4、R、RP和C构成在正负两个半周内电阻不同的电容充电回路（当RP滑动端位于中心处除外），从而使可控硅vs在正负两个半周内导通角不同。

  再通过二极管VD1、VD2的引导作用，使灯Hl、H2分别工作在正负两个半周期内。当电位器RP滑动端右移时，可控硅vs在正半周内导通角增大，而负半周内导通角减小，故使灯Hl亮度增大，灯H2亮度减弱；如将电位器RP滑动端左移，可控硅vs在负半局时导通角加大，而正半周时导通角减小，则灯H1亮度减弱，而灯H2亮度加大。

  当电位器RP滑动端位于中心位置时，因电容C在正负两半周的充电时间相同，可控硅vs在正负两半周的导通角也相同，灯Hl和H2亮度一样。由此可见调节电位器RP，可使Hl和H2的亮度进行平滑变化过渡。

  使用一个负温度系数(NTC)的热敏电阻，用如图1a的电路能用最少的元件、成本和复杂性将温度控制到1℃或更好的精度。该电路含有保护以防止温度传感器短路或开路，且所有的元器件都是常用件。

  该控制器是PWM类型的，但它有指数的传递特性，而不是线性的。这个设计是基于一个LM339(四比较器)，并包含了温度补偿。由于比较器的温漂会产生的Vos的变化，并导致了振荡器输出改变。然而，在产生工作周期的比较器上，也发生了同样的变化，两者相抵 消从而消除了控制器的温漂。

  该控制器的核心是由IC1a、IC1b和相关元件组成的振荡器。振荡器输出的电压峰值和最小电压值是决定控制器精度的主要因素。

  振荡器的输出直接接到产生工作周期的比较器IC1c的输入端。R8决定温度的设置点。R8到Rtherm的分压为产生工作周期的比较器提供比较电压，比较的输出驱动一个光隔离的双向可控硅驱动器。

  是一种新型的半导体器件，它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、动作快以及使用起来更便捷等优点，目前交流

  设计 /

  是一种新型的半导体器件，它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、动作快以及使用起来更便捷等优点，目前交流

  是一种新型的半导体器件，它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、动作快以及使用起来更便捷等优点，目前交流

  详解） /

  原理及应用 /

  不论采用什么接线方式，应保证接线正确、紧固，并留出必要的接地线，同时也应结合实际需要选用合适的电线电缆和连接

  怎么接线 /

  Ethernet IP转Modbus网关模块与汇川PLC通讯在编程软件中的配置

  Modbus转Ethernet/IP网关模块与汇川PLC通讯在网关配置软件中的配置