【48812】单晶硅晶片及单晶硅的制造办法

  本发明的单晶硅晶片及单晶硅的制造办法，是归于切克劳斯基法（CZ法）成长单晶硅晶片，其特征为：对悉数晶片进行热氧化处理时，在环状发生OSF的外侧的N区域，不存在经过Cu淀积所检测出的缺点区域。由此，可经过的确能进步氧化膜耐压等电气特性的CZ法，在安稳的制造条件下，制造既不归于富含空孔的V区域、OSF区域，也不归于富含晶格空隙硅的I区域的硅单晶晶片。

  本发明公开了一种选用SIMOX技能制造SOI资料的办法。经过在传统的注氧阻隔制造工艺中引进离子注入非晶化处理，使得非晶化区域内的各种原子在退火时发生很强的增强分散效应，然后制造出顶部硅层中的穿通位错等晶体缺点和二氧化硅埋层中的硅岛和针孔等硅分凝产品得以消除的高品质的SOI资料。本发明还公开了一种将离子注入非晶化处理应用到选用注氮阻隔或注入氮氧阻隔技能中制造SOI资料的办法，使得氮化硅埋层或许氮氧化硅埋层对错晶层，顶部硅层是和氮化硅埋层或许氮氧化硅埋层的界面具有原子级峻峭的单晶硅层。

  本发明归于半导体别离技能领域，特别是触及一种别离单晶硅埚底猜中石英的工艺，包含下列进程：a.将埚底料破碎，得到颗粒状的埚底料；b.用Si3N4涂料刷抹坩埚底部和内壁，让其天然枯燥；c.把颗粒状埚底料放置在坩埚内；d.装有颗粒状埚底料的坩埚放入中频感应电炉，敞开电源使炉内温度上升至熔点温度后100℃左右，保温10-30分钟，则颗粒状埚底料在坩埚内重熔；e.在加热到达规则时刻后，关掉电源，待天然冷却后，可得到已别离的硅与石英；本发明供给的别离单晶硅埚底猜中石英的工艺办法，经过将混含有石英的埚底料放置在中频炉中高温加热熔融，使用硅的熔点低于石英熔点的特性，可以方便地将石英颗粒与硅液别脱离，因而，本发明具有工艺简略、出产安全、能耗低、别离作用好等长处。

  本发明公开了一种单晶硅衬底上可动微机械结构单片集成的制造的进程，它触及微电子机械工艺加工技能领域中的微电子机械系统结构器材的制造。它选用浓硼分散、光刻、深反应离子刻蚀和选择性湿法腐蚀技能工艺，完成可动悬空与固定微结构都制造在同一单晶硅片上，到达可动微机械单片集成制造意图。本发明具有制造成本低价，操作制造简易，能单片集成和大规模集成等长处，适合于光开关、谐振器、加速度计等多种具有可动微结构器材的制造。