我国功率器件巨头的新野心

  生产线正式投产。该项目由厦门士兰集科微电子有限公司负责实施运营，总投资170亿元，建设两条以

  而在12吋特色工艺生产线项目建设的同时，士兰微还投资了另一个重磅工程——士兰化合物半导体芯片制造生产线项目，目前，该项目已在去年底实现初步投产，争取在今年四季度实现产能的释放。

  事实上，不仅是士兰微，国内的功率半导体厂商也进行了一些布局，我们研究了其中一部分上市（or即将上市）的公司。

  如国产龙头斯达半导，借助制造业核心零部件国产替代加速推进的风口，拟布局车规级第三代半导体产业。

  日前，根据其发布了重要的公告显示，斯达半导拟投资2.29亿元在嘉兴现有厂区内投建全碳化硅模组产业化项目。据了解，碳化硅是第三代半导体材料之一，近年来一直被业内视为新能源汽车电机控制器核心器件IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的替代品，在新能源汽车电能与动能转化过程中的能量损耗更低。

  斯达半导表示，本项目实施后，将逐步提升公司在汽车及全碳化硅功率模组的技术水平，提升公司供货能力，为公司进一步拓展新能源市场打下基础。

  对此，华西证券研报指出，斯达半导在新能源汽车领域投入了大量的研发经费，未来仍将募集资金继续加大该领域投资，预判随着新能源汽车的加速渗透及国产化配套的迫切需求，公司经营业绩有望继续增长。

  斯达半导成立于2005年，一直以来致力于IGBT芯片和快恢复二极管芯片的设计、工艺及IGBT模块的设计、制造和测试。公司客户主要分布在新能源、新能源汽车、工业控制电源、变频白色家电等行业。

  华润微是国内半导体IDM有突出贡献的公司，目前拥有2条8吋晶圆生产线吋产线吋产线吋产能大多数都用在生产功率器件（包括MOSFET、IGBT、二极管等）和功率IC。

  今年7月，华润微6吋SiC生产线宣布量产，这是国内首条实现商用量产的6吋碳化硅晶圆生产线片/月。据悉，公司基于SiC 6吋专用生产线生产的新产品SiC MOSFET预计今年出样品，明年推向市场，未来的重点发展趋势是工控及汽车电子领域。

  今年10月，华润微募集资金总额不超过50亿元人民币（含本数），扣除发行费用后拟用于华润微功率半导体封测基地项目和补充流动资金。大多数都用在封装测试标准功率半导体产品、先进面板级功率产品、特色功率半导体产品。

  同时，华润微将拓展芯片外延加工和整合半导体功率器件封装测试环节，进行先进半导体功率器件封装产线布局。

  扬杰科技也是本土功率器件市场的一个重要角色，今年6月份，扬杰科技募资15亿元,投资半导体芯片封测项目。

  同时，扬杰科技积极地推进重点研发项目的管理实施。基于8英寸工艺的沟槽场终止1200V IGBT芯片系列及对应的模块产品开始风险量产，标志着扬杰科技在该产品领域取得了重要进展。

  扬杰科技成功开发并向市场推出了SGTN MOS和SGTP MOS N/P30V~150V等系列新产品；持续优化Trench MOS和SGT MOS系列新产品性能并扩充规格、品种；快速部署低功耗MOS产品研究开发战略。

  另外，扬杰科技在碳化硅功率器件等产品研制方面加大力度，以进一步满足扬杰科技后续战略发展需求，为实现半导体功率器件全系列新产品的一站式供应奠定坚实的基础。

  资料显示，扬杰科技成立于2006年，致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等高端领域的产业高质量发展，产品大范围的应用于消费类电子、安防、工业控制、汽车电子、新能源等诸多领域。

  2019年，闻泰科技斥巨资拿下了安世半导体，后者曾经是NXP的标准件部门，在功率器件领域也拥有不错的表现。

  根据西南证券的报告数据显示，2018年安世半导体全球市占率14%，其中二极管全球第一，逻辑器件全球第二，汽车MOS管全球第二，小信号MOS管全球第三。其2018年全年生产总量超过1000亿颗稳居全球第一。尤其是汽车级MOS管方面，更是安世的核心竞争力所在。

  今年8月，闻泰科技先后抛出两项资本预算，包括：总投资100亿的无锡ODM智慧超级工厂及研发中心和总投资120亿的上海临港12英寸车规级功率半导体自动化晶圆制造中心。

  8月19日下午，中国第一座12英寸车规级功率半导体自动化晶圆制造中心项目正式签约落户上海临港。该项目是闻泰科技半导体业务实现100亿美元战略目标的第一步。

  闻泰科技成立于2006年，是成为全世界排名前列的通讯与半导体企业，也是手机ODM(原始设计制造)行业有突出贡献的公司。自成功收购安世半导体之后，闻泰科技又由手机ODM龙头一跃成为了中国最大的功率半导公司。

  无锡新洁能是功率半导体家族又一新上市公司，同样是细致划分领域国内龙头。2020年9月28日，新洁能正式登陆上交所主板挂牌交易。

  新洁能是国内功率半导体芯片及器件设计龙头。主营为功率半导体芯片和器件的研发、设计及销售。公司深耕半导体功率器件行业，是国内最早专门从事MOSFET、IGBT研发设计的企业之一，具备独立的芯片设计能力和自主工艺流程设计平台。

  据了解，新洁能将进一步拓展 MOSFET产品、重点深化IGBT产品。同时，新洁能将进一步拓展芯片加工产业，持续整合半导体功率器件封装测试环节垂直产业链，掌控先进半导体功率器件封装产线并布局SiC/GaN宽禁带半导体功率器件，进一步强化企业核心竞争力。

  当然，除了这些中国功率器件巨头在今年有新动作以外，苏州固锝、捷捷微和燕东微电子乃至华虹宏力（代工厂）等大大小小的本土供应商也都聚焦在这一个市场扩张。能确定的是，国内功率器件市场在未来几年将会非常“热闹”。

  瑞能也是国内资本收购NXP的半导体功率器件部门建立的。公司在可控硅PFC二极管市场拥有不错的市场地位。其双极性特色功率线也极大的提升了他们的市场表现。他们在SiC产品线的布局，更是国内很多功率器件供应商很难来做比较的。

  8月18日，上交所正式受理了瑞能半导体科技股份有限公司（以下简称“瑞能”）的科创板上市申请。

  瑞能在研发层面，不断在第三代功率半导体加大投入，是国内少有的在碳化硅领域形成量产并已大批量销售的企业，在新的赛道上锁定了先发优势。

  瑞能，也是国内资本收购NXP的半导体功率器件部门建立的。公司在可控硅和PFC二极管市场拥有不错的市场地位。其双极性特色功率线也极大的提升了他们的市场表现。他们在SiC产品线的布局，更是国内很多功率器件供应商很难来做比较的。他们也基于此和索尼、松下、戴森、格力和华为等国内外知名厂商建立了联系。

  事实上，这几年来，无论是国内还是国外，功率器件的厂商都暗流涌动，这主要与现在市场对绿色能源需求，特别是他们对汽车（尤其是新能汽车）的市场看好有莫大的关系。

  根据资料显示，功率器件超 400 亿美元市场，新能源车是主要增量。据 Yole 数据，2019 年全球 IGBT、MOSFET 市场合计近 175 亿美元，其中汽车电子相关需求为 15 亿美元， 工业市场为 11 亿美元，计算及存储市场达到 12 亿美元，消费电子市场则达到 13 亿美元。

  我们知道，国际厂商是功率半导体的头部玩家，他们积累的深厚经验和可靠性，让他们在这一个市场建立了国内厂商难以跨越的壁垒。这主要与功率器件要设计和工艺配合有莫大的关系。而回看国内，目前生产的基本工艺仍然有很大的提升空间。

  当然，国内外正在追逐的GaN和SiC功率器件市场将会给本土功率器件厂商提供一个同台竞技的新机会。目前，国际上主要的功率器件公司已对第三代带半导体进行布局。

  例如SiC功率器件产业化公司主要有美国的Cree、德国英飞凌、日本Rohm、欧洲的意法半导体以及日本三菱等。国内主要生产商为华润微、扬杰科技、 士兰微等传统功率器件生产商以及泰克天润、中车时代、国家电网全球能源研究院等 SiC专业生产商。

  资本也关注到了这一点，半导体行业观察结合公开资料得知，在今年，包括氮矽科技、优镓科技、致瞻科技、超芯星半导体、同光晶体以及瞻芯电子等企业都获得了融资。方正证券研报认为，第三代半导体国内外差距没有一、二代半导体明显。国产厂商有希望追上国外厂商，完成国产替代。

  最后有必要注意一下的是，一些厂商开始拓展芯片加工行业，或者正在巩固自己的IDM模式。这也不难理解，毕竟目前功率半导体市场仍以欧美日为主，他们占据全球功率半导体70%的市场占有率，其中英飞凌、安森美是典型代表。而他们几乎全部都是IDM模式。

  在国内，士兰微、扬杰科技为代表性的IDM企业，中车时代电气及比亚迪也选择IDM模式生产IGBT，这在某种程度上预示着制造能力建设是功率半导体企业走向中高端核心要素。

  在巨头大部分都为IDM的情况下，国内厂商想继续往前走，做IDM确实是很好的选择。但成为IDM需要投入巨大成本建造工厂，这是一个对大多数企业来说是难以逾越的鸿沟。

  在今年的功率半导体市场中，国内市场多了一些变数，也取得了不少成就。尤其是第三代半导体方面，国家和各地方政府陆续推出政策和产业扶持基金发展第三代半导体相关产业，我国多家半导体厂商也在积极布局SiC和GaN器件，并逐渐缩小与国际厂商的距离。

  在全球功率器件市场中，机遇与挑战并存。目前，有些国产厂商已经在功率半导体的某些细致划分领域中占有一席地位，并能够与国际厂商相互较量。追赶的路纵使困难重重，国内厂商也决不气馁。

  文章出处：【微信公众号：半导体芯精英】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。

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  ，是电子设备中至关重要的组成部分，它们具备处理高电压和高电流的能力，是电力转换和电路控制的核心。以下是对

  ，其基本功能是将电能转换为别的形式的能量，如电机的驱动、电源的变换等。

  密度 /

  的热设计及散热计算 /

  对电源转换设计的影响分析 /

  的区别在于，其在设计的时候，需要多一块区域，来承担外加的电压，如图5所示，300V

  的区别 /

  是由硅和碳制成的半导体，用来制造电动汽车、电源、电机控制电路和逆变器等高压应用的

  的产品定位 /

  和高频率应用，如电源转换、无线通信、雷达和太阳能逆变器等领域。由于其优异的性能，氮化镓

  的应用 /

  ） /

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