【48812】可控硅对触发电路的要求

  由关断转为导通，除阳极要接受正向电压外，门极还要加上恰当的触发电压，改动触发脉冲输出时刻便可到达改动输出直流电压的意图。为门极供给触发电压和

  3、触发冲的移相规模应满意变流设备的要求。例如单相桥式全控整流电路带电阻性负载时，移相规模是0180°；三相半波可控整流电路带电阻性负载时，移相规模0150°；三相桥式全控整流电路带电阻性负载时，移相规模是0120°；阻容移相触发电路的移相规模是0160°。

  触发电路的类型许多，主要有简略移相触发电路、阻容移相触发电路、数字集成电路组成的触发电路、单结晶体管触发电路、同步电压为锯齿波的触发电路等。因为单结晶体管触发电路输出的脉冲具有前沿陡、抗干扰能力强和温补功能好等特色，所以使用非常广泛。

  1、单结晶体管是一种特别的半导体元件，它有3个电极(一个发射极和两个基极),故又称双基极二极管。

  2、使用单结晶体管的负阻特性及电容的充、放电特性可组成单结晶体管自激振荡电路。如下图所示。

  假定在接通直流电源Ubb之前电容C上没有电压，一旦接通Ubb，电源当即经过可变电阻R对电容C充电，电容两头电压按指数函数规则增加。当uc=UP时，单结晶体管导通，所以电容 C就向输出电阻R1放电。因为R1很小(50100Ω)，所以放电非常快，并在输出电阻的电压波形图上构成尖脉冲电压。当uc下降到谷点电压Uv之后，单结晶体管截止，发射极电流简直为零，输出尖脉冲中止，电容C再次充电。如此循环往复，在电容C上构成了锯齿波，在输出端R1~的电压波形图上构成了一系列尖脉冲。

  3、改动可变电阻R或电容C，均能改动脉冲的输出时刻，但一般都是经过改动R完成，因为改动R简单且出资小。

  4、一般C值取0.1~0.47μF，C值太小会形成触发功率不行，过大则最小操控角增大，移相规模变小。

  5、R1在50100Ω之间取值为宜，R1值太小，则放电太快，脉冲太窄且起伏小，不利于触发可控硅；R1值太大，有或许因为流过未导通单结晶体管的漏电流在R1~上发生的“残压”太大，而导致可控硅误导通。

  6、因峰点电压UP=ηUbb+UV，分压比η不随温度的改变而改变，但UV随温度的上升而下降，所以峰点电压随温度的上升而下降，这会引起UP不安稳而影响操控角。在电路中接入不随气温改变的电阻R2，当温度上升时，UV值尽管下降，而rbb却增大，电流Ibb=E/(R1+R2+rbb)减小，R1、R2上的电压降相应减小，而E为安稳值，所以Ubb=E-(UR1+UR2)增大，以ηUbb的增加来补偿UV的减小，然后保持UP不变，使触发电路作业点根本安稳不变。R2一般取值200~600Ω。

  如上图所示，主电路和触发电路由电压u1一起供电。触发电路经单相半波整流后,再经稳压管DZl削波得到梯形波电压。在梯形波由正到负过零点时，电容C放电，因此电容C能在主电路可控硅开端接受正向电压，从零开端充电。每周期发生的第一个有用的触发尖脉冲时刻都相同，即每周期的操控角α都相同，因此触发电路与主电路取得了同步，使UL波形有规则地调理改变。

  本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:19 修改 双向

  ，加纯阻性负载没有一点问题，可是负载变压器就不行了，导通角不断变大的过程中烧稳妥丝，变压器次级加负载没问题，不加负载就会烧稳妥，求助我们帮助解说下啊，谢谢啦

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