碳化硅功率半导体在新能源汽车的应用机遇

  MBE生长工艺和表征领域有丰富经验，为推动第三代半导体技术产业化及器件国产化作出较大的贡献。

  2023年7月27日-28日，由西莫主办的2023中国新能源电驱动系统技术发展大会在苏州汇融广场假日酒店成功举办。本次大会推动了新能源电驱动行业的技术发展，同时也加强了电机企业、整车企业、电驱动集成和设备材料厂商以及CAE技术服务企业之间的供需合作。来自北京三安光电有限公司的副总经理杨瑞博士在本次大会上进行了“碳化硅功率半导体在新能源汽车应用中的机遇与挑战”的主题演讲，报告如下：

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  高压工作环境下，依然体现优异的电气特性，其高温工作特性，大幅度的提升了高温稳定性，也大幅度提升电气设备的整体效率。产品可大范围的应用于太阳能逆变器、车载电源、

  （SiC）具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点，被认为是制作高温、高频、大

  PN结器件优越的指标是正向导通电压低，具有低的导通损耗。但硅肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压VR较低，一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。二、

  材料的一种，主要特征是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种

  的创新性和较新的颠覆性技术必然很昂贵，尽管认识到了与硅基产品（如IGBT和Si-MOSFET）相比的潜在优势，大多数工程师还是把它放在了“可有可无”的清单

  `海飞乐技术目前产品范围有有：快恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS管、MOS模块，各种以及宽禁带（WBG）

  和10%的陶瓷粘合剂和添加剂制成。将原材料制作成各种几何尺寸的压敏电阻，然后

  特定的大气和环境条件下在高温下烧结。然后将一层黄铜作为电触点喷上火焰。其他标准

  上，对介电常数要求严格，虽然有低温共烧陶瓷，仍旧没办法满足他们的要求，需要一种性能更好的升级产品，建议能够正常的使用富力天晟的

  的颜色，纯净者无色透明，含杂质(碳、硅等)时呈蓝、天蓝、深蓝，浅绿等色，少数呈黄、黑等色。加温至700℃时不褪色。金刚光泽。比重,具极高的折射率, 和高的双折射，

  的化学惰性• 高导热率• 低热膨胀这些高强度、较持久耐用的陶瓷大范围的使用在各类应用，如

  的代表性材料之一，其材料本征特性与硅材料相比具有诸多优势。以现阶段最适合用于做

  MOSFET产品，具有极高的工作效率，性能优越达到国际领先水平，可广泛应用于

  B1D02065K兼容代替SCS302AH IDH02G65C5 650V基本

  肖特基二极管，与传统的硅基器件相比，具有更优越的性能，零开关损耗，提高效率，降低解决方案成本，

  行业的不懈追求。相较于传统的硅MOSFET和硅IGBT 产品，基于宽禁带

  MOSFET 具有耐压高、导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗、减小

  材料，近年来被愈来愈普遍地用于高频高温的工作场合。为了更好的提高永磁同步电机伺服控制管理系统的性能

  器件取得了长足发展。更快的开关速度，更好的温度特性使得系统损耗大幅度降低，效率提升，体积减小，以此来实现变换器的高效高

  和高辐射条件下运行的能力将提高各种系统和应用的性能，包括飞机、车辆、通信设施和航天器。今天，SiC MOSFET是长期可靠的

  适配器为了减小对电网的干扰，都会采用PFC电路、使用氮化镓的充电器，基本也离不开

  正半周期（VAC大于0）的时候，T2为主开关管。当T2开通时，电感L储能，电流

  密度、长器件寿命等需求而专门开发的产品。该产品采用标准ED3封装，采用双面有压型银烧结连接工艺、高密度铜线键合技术、高性能氮

  概要：本文将讨论谐振LLC和移相（Phase Shift）两种隔离DC/DC拓扑的性能特点以及

  电机控制器、车载电源、太阳能逆变器、充电桩、UPS、PFC 电源等领域有广泛应用。1、半桥两并联

  800 V 电池系统和大电池容量中，它可提高逆变器的效率，从而延长续航里程或降低电池成本

  器件，其高频、高效、高温的特性很适合对效率或温度要求严苛的应用。可大范围的应用于太阳能逆变器、车载电源、

  上面没有做任何掩膜，就为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在

  场效应晶体管 （MOSFET） 能够以比 IGBT 更高的频率进行开关，通过降低电阻和开关损耗来提高效率

  的市场硅在一定时代还是占主导，基于各种优势是很大的增长点，我们预测在未来的五年左右，

  、光伏、通信等产业的自主创新发展和转型升级也起到了关键性作用。而其中，

  MOSFET等器件，为业界熟知，并得到普遍应用。在11月27日举行的2021基本创新日活动

  高端数字化智能工厂。 该基地将于2022年3月进行小批量试生产，年中实现量产交付，2022年产能为25万只模块，2025年之前将提升至150万只。   本文图源 基本

  密度和效率，在降低电池成本、增加续航里程、缩短充电时间、减少整车重量等方面表现出了非凡的科技魅力，堪比

  （SiC）技术 Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase

  （SiC）技术的需求继续增长，这种技术能最大限度地提高当今电力系统的效率

  MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能，是目前电力电子领域最受关注的宽禁带

  应用的组件包括：电机驱动系统、车载充电系统（OBC）、电源转换系统（车载 DC/DC）和非车载充电桩。

  器件具有更高的工作时候的温度、更高的能耗效率、更高的开关速度和更小的尺寸等优点，因此在

  器件在未来具有很大的发展的潜在能力，将在多个领域展现出显著的优势。本文将介绍未来

  材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点，因此在高温、高频、大