【48812】扬杰科技取得实用新型专利授权：“具有沟槽体二极管的碳化硅MOSFET”

  证券之星音讯，依据企查查多个方面数据显现扬杰科技（300373）新取得一项实用新型专利授权，专利名为“具有沟槽体二极管的碳化硅MOSFET”，专利申请号为CN0.9，授权日为2024年7月23日。

  专利摘要：具有沟槽体二极管的碳化硅MOSFET。触及半导体技术领域。包含从下而上顺次设置的碳化硅衬底和碳化硅漂移层；所述碳化硅漂移层的顶面设有若干距离向下延伸的PW区；所述PW区的顶面设有向下延伸的NP区和PP区一；相邻所述PW区之间设有源级处沟槽，所述源级处沟槽的槽底设有向下延伸的PP区二；所述源级处沟槽的深度大于PW区结深；本实用新型经过在碳化硅MOSFET中构成沟槽体二极管，使得当二极管导通从N型漂移层开端，提高了体二极管的导通才能，并且有很大成效避免了因为电子和空穴的复合现象而导致的晶格缺点延伸，然后减小双极退化现象引起的器材功能退化。

  今年以来扬杰科技新取得专利授权55个，较去年同期增加了120%。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研制方面投入了3.56亿元，同比增21.57%。

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