可控硅调压电路原理_可控硅调压器电路图_晶闸管沟通剖析

  （1）整流电路采纳桥式整流,将220伏,50赫兹沟通电压变为脉动直流电。

  图中TVP抗搅扰一般电源电路。选用双向TVP管子。它关于电网的尖脉冲电压和雷电叠加电压等等搅扰超曩昔额外的数值量,都能有用的吸收。

  整流电路选用桥式整流,由4只二极管组成,D1,D2,D3,D4组成。双基极二极管组成张弛真振荡器作为可控硅的同步触发电路。当调压器接上市电后220伏沟通电经过负载电阻Rc,二极管D1到D4整流,在可控硅SCH的A ,K南北极构成一个脉动的直流电压。该电压由电阻R1降压后作为触发电路的直流电源。在沟通的正半周时,整流电路经过电阻R1,可变电阻W1对电容充电。当充电电压T1管的峰值电压Up时,管子由截止变为导通。所以电容C经过T1管的e1,b1结和R2敏捷的放电,结果在R2上取得一个尖脉冲。这个脉冲作为操控信号送到可控硅SCR的操控极,使可控硅导通。可控硅导通后的管压降很低,一般小于1伏,所以张弛振荡器停止工作。当沟通电经过0点时,可控硅自行关断。当沟通电在负半周时C又从头充电…循环往复。改动可变电阻的阻值可改动电容的冲放电时间,然后改动可控硅的导通时间,来改动负载上的的输出电压。

  （2）晶闸管选用正向与反向电压大于300伏,额外均匀电流大于1安的可控硅整流器件。类型 国产3CT。

  （3）调压电位器选用阻值围470千欧的WH114—1型的组成炭膜电位器。

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