可控硅加热电路（可控硅控制加热电路）

  1、经我比较了多种方式，对于电热丝加热的，使用光耦+可控硅是最简单，也是最方便的。因为电热丝发出的热量需要一个转换过程，使用脉冲式的供电是不可能影响的。

  2、正确的方法是以灯泡上端的电极（阴极），作为触发电路的地线，对于双向可控硅来说，控制极是正电压或者负电压都能对可控硅进行触发。

  3、本机常见的故障原因为变压器烧坏，可控硅损坏，发热条断裂等。实例1：压下手柄，开关K闭合，RL通电加热不停，最终将塑料袋封口部位加热熔断；修理时焊下可控硅，用万用表测量之，发现T1和T2极间已击穿。

  4、双向可控硅能控制交流电的通断。调整触发电路的导通角，就能调整输出电压的大小。

  5、可控硅当然最好，可以用小开关控制大电流，体积小无火花。是理想的大功率加热开关电路。

  1、即热式电热水器工作原理 以下是它的工作原理：即热式电热水器采用的是直接传导的工作方式，能使流经发热元件的冷水立即变成热水。

  2、这个也就是它的一个工作原理。即热式电热水器产品靠电加热体的大工作功率来实现一定流量的水升温加热。

  3、即热式电热水器的工作原理：一般需甚至30安培以上的电流，即开即热，水温恒定，制热效率高，安装空间小。内部低压处理，可以在安装的时候增加分流器，功率较高的产品安装在浴室，即能用于淋浴，也能用于洗漱。

  你好：——★加热丝负载电路中，双向可控硅输出的电流受输出电压控制，符合欧姆定律的。——★加热丝工作时电流突然变大，烧坏，这是双向可控硅输出的电源突然升高所致：触发电路发生了失控。

  可控硅调压电路的负载一般是不允许接滤波电容的，因为可控硅一旦触发，如果阳极间有电压，即便触发电压撤销，它仍然会导通的，这是它区别于其他控制器件的关键一点。

  发电机没有按规定的技术条件运行，如定子电压过高，铁损增大；负荷电流过大，定子绕组铜损增大；频率过低，使冷却风扇转速变慢，影响发电机散热；功率因数太低，使转子励磁电流增大，造成转子发热。

  实际的触发电流的最大值不仅决定于触发电源，还同主回路有关。如果主回路不是很大的电感性负载，则无论触发电源的输出能力如何，即便它能输出安培级的电流，实际的触发电流也不会很大。

  阻容保护电路出现短路电流的原因：保护电路中的电容耐压太低，被击穿短路。在可控硅的控制电路中，常常在可控硅的两端并联RC串接的保护电路，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。

  1、即热式电热水器双向可控硅的工作原理是由双向可控硅控制电热元件电源每半个周期导通角的大小。

  2、如果你懂电子技术能百度中搜索“固态继电器电路图”可以有无数的资料参考使用；如果你不懂电子技术，可能连双向可控硅的引脚都没办法识别，即使知道接线方法也没办法使用，另外，双向可控硅的选用、散热器的配用都是要设计的。

  3、电加热器改双向可控硅控制后，电源的功率因数下降原因是采用三相两控过零点控制的方法，因为电流波动大，对变压器（2500KVA）影响较大，机身温度上升很快，电源的功率因数下降。

  4、先说温控表，13，14--220V电压输入，5，6，7接热电阻，PT100，问题在22，23上，这个表标识是G，T2，实际双向可控硅模块触发端是G1，K1，G2，K2，温控表的23接模块的G1，22的T2接模块的K1，第9的J，继电器输出，不用接。

  1、给可控硅的触发极加一个和电流同周期的脉冲，根据脉冲与电流的相位差的变化，可控硅能控制整流电路中电压的平均值，这样就能轻松实现电热器温度的调节，其实这样的一个过程也是一个闭环反馈控制过程。

  2、移相触发加热MTC可控硅模块导通角被调整，电压随之变化，从而调整加热功率；过零触发加热即通常所说的固态继电器，加热时，电压不变化，实际是脉冲通断信号。

  3、可控硅控制加热，有两种方式，一是移相式。一是脉冲式。前者就是在正弦波不同位置导通（导通角）来改变加到电热元件上的电压的。后者是以一个时间段导通不同比例有时间来控制加热的。前者的调功器线、即热式电热水器双向可控硅是双向可控硅与负载（加热棒）串联并接在火线零线之间，通过光耦继电器控制双向可控硅的导通，电流流过低阻值的加热棒产生热量，实现对流通水的加热。

  ...请问单片机怎么控制seat_heat引脚来达到控制左侧可控硅加热...

  4、正常的情况都是继电器控制，如果要精确控制的话，就用可控硅，通过单片机输出PWM波控制电热丝的发热温度，使用数字化的温度传感器（比如DS18B20）测量温度。

  5、用继电器可以免去隔离了，而且控制也容易，单片机控制一个三极管，再由三极管去驱动继电器，如果继电器很多的话，用三极管有点麻烦，就用ULN2803，一片能控制8个继电器。

  6、用单片机能控制可控硅在DC电路中的导通与关闭。具体电路我可提供。问题是你要求的开关频率太高了，所以你还是用场效应，或达林顿阵列吧。回复时注明可控硅回路的电流，和导通与关闭的时间。